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商標(biāo)注冊(cè)申請(qǐng)【科技在線】近日,在蘋果公司發(fā)布新一代ipadair,搭載臺(tái)灣積體電路制造5納米工藝a14解決方案后,臺(tái)灣積體電路制造再次引起業(yè)界關(guān)注。 據(jù)國外媒體報(bào)道,臺(tái)灣積體電路制造在5納米工藝中大放異彩,下一步將把要點(diǎn)迅速發(fā)展到3納米和2納米工藝。
臺(tái)灣積體電路制造使用2納米迅速進(jìn)步,或使用帶柵極的晶體管技術(shù)。
上個(gè)月,臺(tái)灣積體電路制造在技術(shù)論壇上公布了5nm、4nm、3nm工藝的新進(jìn)展,表明3nm工藝的研制正在按計(jì)劃進(jìn)行,并將繼續(xù)使用成熟的鰭形場效應(yīng)晶體管技術(shù)。 但是,最近,比3nm更先進(jìn)的2nm工藝也逐漸浮出水面。
產(chǎn)業(yè)鏈信息人士表示,臺(tái)灣積體電路制造目前2納米工藝進(jìn)展迅速,超出預(yù)期。 2nm采用的不是成熟的場效應(yīng)晶體管技術(shù)( finfet ),而是柵極周圍晶體管技術(shù)) gaa )。
在上個(gè)月的科技論壇上,臺(tái)灣積體電路制造副總裁kevinzhang也在錄制視頻中表示,新的臺(tái)灣研發(fā)中心將運(yùn)營先進(jìn)的生產(chǎn)線,投入8000名工程師,克服2納米工藝的技術(shù)難題。
標(biāo)題:“臺(tái)積電使用2nm進(jìn)步神速或使用繞柵晶體管技術(shù)”
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